Memrisztor

A memrisztor szó két szó összetételéből áll: memory (memória) és resistor (elektromos ellenállás). A memrisztor egy olyan passzív elektromos elem, amelynek az elektromos ellenállása nem állandó, hanem a múltbeli állapotától függ. Az első memrisztort 2007-ben állították elő. Az ellenállás, a kondenzátor és az induktivitás mellett a negyedik passzív áramköri elem.

Leon Chua írta le először a memrisztor létezését 1971-ben. Bár ekkor még csak elméleti szinten létezett, de sikeresen leírta a tulajdonságait.

Felépítése

A Hewlett-Packard mérnökei platina elektródák között titán-oxid réteget hoztak létre. A képen látható narancs színű területet oxigén atomokkal szennyezték, így a p töltéshordozók kerültek többségbe. A fehér színű terület mint szigetelő működik. Abban az esetben ha még nem került feszültség alá az eszköz, akkor a szigetelő szélesebb mint a vezetőréteg, így a memrisztor nagy ellenállású állapotba kerül.

Ha elektromos mezőt kapcsolunk rá, úgy a p szennyezett réteg szélessége megnő, így a vezetőréteg szélesebb lesz mint a szigetelő réteg, és a memrisztor vezetővé válik. E folyamatban fontos szerepe van az alagúteffektusnak nevezett jelenségnek.

A kísérletek a következő jelenséget mutatták: a memrisztor ellenállása nem állandó, más az ellenállása a függvény felfutó és lefutó szakaszában. A görbe a mellékelt ábrán látható. Ez az úgynevezett memrisztor-hiszterézisgörbe (angolul: pinched hysteresis loop). A függvény függ a szennyezettség mértékétől, és a frekvenciától. A görbe nullátmenete jól láthatóan a koordináta-rendszer nullpontjában van, tehát egy passzív elem.

Tulajdonsága

A memrisztor egy arányt definiál a fluxusváltozással és a töltéssel. Mértékegysége az ohm Ω.

M(q)={\frac {\mathrm {d} \Phi }{\mathrm {d} q}}

A memrisztor meghatározása beleillik a korábban definiált elemek körébe.

	elektromos töltés	elektromos áram
elektromos Feszültség	(reciprokosan) Kapacitás ${\frac {1}{C}}={\frac {\mathrm {d} U}{\mathrm {d} q}}={\frac {\mathrm {d} {\dot {\Phi }}}{\mathrm {d} q}}$	Ellenállás $R={\frac {\mathrm {d} U}{\mathrm {d} I}}={\frac {\mathrm {d} {\dot {\Phi }}}{\mathrm {d} {\dot {q}}}}$
Mágneses fluxus	Memrisztivitás $M={\frac {\mathrm {d} \Phi }{\mathrm {d} q}}$	Induktivitás $L={\frac {\mathrm {d} \Phi }{\mathrm {d} I}}={\frac {\mathrm {d} \Phi }{\mathrm {d} {\dot {q}}}}$

A memrisztorra a következő összefüggések érvényesek:

I(t)={\frac {\mathrm {d} q}{\mathrm {d} t}}

U(t)={\frac {\mathrm {d} \Phi }{\mathrm {d} t}}

A memrisztoron eső feszültség közvetlenül kiszámolható a memrisztoron átfolyó áram és memrisztivitás szorzataként.

U(t)=M(q(t))\cdot I(t)

A memrisztoron átfolyó áramerősség a következőképpen határozható meg.

I(t)=W(\Phi (t))\cdot U(t)

Ahol a W

A memrisztor által tárolt töltés meghatározható ha integráljuk a múltbéli áramerősséget.

q(t)=\int \limits _{-\infty }^{t}I(t)\ \mathrm {d} t=q(t_{0})+\int \limits _{t_{0}}^{t}I(t)\ \mathrm {d} t

Az egyes időpillanatokban a memrisztor úgy viselkedik, mint egy ellenállás. Az ellenállás M(q) függ a megelőző áramerősségtől. Egy lineáris memrisztornál, ahol M konstans, érvényes lenne a M=R egyenlőség.